Han sido muchas las cosas que hemos intentado explicar de manera sencilla en este artículo. Como ya os habréis dado cuenta, los semiconductores son un mundo muy dinámico que requiere inversiones muy fuertes tanto en investigación como en renovación de los equipos de fabricación y los cambios que sufre son muy rápidos. Es muy cierto que es cada vez más difícil avanzar para mejorar ciertos aspectos de la tecnología de semiconductores, pero las previsiones pesimistas de que llegaremos en muy breve al límite de la tecnología de silicio no parecen tener la fuerza que tenían hace pocos años. Y si es que llevamos ya por lo menos 5-6 años en los que siempre estamos a 1 década de llegar al máximo de lo que puede dar de sí la tecnología de silicio. Hace sólo unos años, tecnologías como SOI, Silicio Puro Si-28, y los transistores centésimas de micra actuales simplemente no estaban en el horizonte pero sin embargo constantemente se han ido descubriendo cosas nuevas que parece que alargaran la vida de los chips de silicio. Los avances en los semiconductores son absolutamente necesarios para que podamos disfrutar de mejoras constantes en la velocidad de los chips que llenan nuestros ordenadores y nosotros creemos que a los semiconductores, y al silicio en particular le quedan bastantes años de vida. En un artículo próximo nos centraremos en cosas como los encapsulados, las obleas de silicio donde se fabrican los chips, el proceso de fabricación de un circuito integrado y otras muchas cosas interesantes. PABLO DUQUE 17876293 CAF |
Bipolar-MOS Current Mirrors, Active Loads. Current Mirrors. General Properties. Simple Current Mirror. Simple Current Mirror with Beta Helper. Simple Current Mirror with Degeneration. Cascode Current Mirror. Wilson Current Mirror. Common-EmitterlCommon-Source. Amplifier with Complementary Load. Common-EmitterlCommon-Source Amplifier with Depletion Load. Common-Emitter/Common-Source Amplifier with Diode-Connected Load.
lunes, 26 de julio de 2010
Tecnologías de Semiconductores
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1II 2010-1 CAF Pablo R Duque M
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