El ZDS1009 espejo actual

 se ha desarrollado para la alta del lado de detección de corriente, así como aplicaciones a nivel de traducción. As an alternative, the ZXCT1009T8  is also available as an integrated solution. Como alternativa, el ZXCT1009T8  también está disponible como una solución integrada.

    * Features Características Wide operating voltage range Amplia gama de tensión de servicio
    * Excellent temperature tracking characteristics Excelente temperatura de seguimiento de las características
    * Simplifies circuit implementation Simplifica la implementación de circuitos
    * Only four connections required Sólo cuatro conexiones necesarias

    * Applications Aplicaciones Battery chargers Cargadores de batería
    * DC motor control Control de motores DC
    * Out-rush current sensing Fuera de la corriente de entrada de sensores
    * In-rush current sensing En la fiebre de detección de corriente
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ISSUE 2 - JANUARY 2000 TEMA 2 - enero 2000
ZDS1009 ZDS1009
SM-8 COMPLEMENTARY CURRENT MIRROR SM-8 ESPEJO complementarios actuales
1 1
FEATURES CARACTERÍSTICAS
• Excellent Temperature Tracking Characteristics • Excelente Temperatura Características de seguimiento
• Compact Cost Effective Solution • Compacto solución rentable
• Simplifies Circuit Implementation • Simplifica la implementación del circuito
• Broad application base from • Amplia base de la aplicación de
Single Cell Li-ion High Side Current sense chargers to -Lado de la célula actual Alto sentido de iones Li cargadores único a
Multi-cell Lead-Acid systems Multi-célula de plomo sistemas
• Only 4 Connections required • Sólo el 4 conexiones necesarias
DESCRIPTION DESCRIPCIÓN
The ZDS1009 current mirror has been developed El ZDS1009 espejo actual se ha desarrollado
specifically for high side, current sense plus level de alto, con la cara actual más sentido nivel específicamente
translation applications and as such will find a broad aplicaciones de traducción y, como tal, se encuentra una amplia
applications base including battery charge aplicaciones de base de carga de la batería incluida
management, DC motor control and over current gestión, control de motores DC y más actual
monitoring functions. funciones de vigilancia. It is of particular interest for Es de especial interés para
current sense applications for feedback purposes in fast sentido de las aplicaciones actuales para fines de retroalimentación en rápido
battery chargers for Li-Ion cell based systems. cargadores de baterías para celdas de Li-Ion sistemas basados en.
The device functions by sensing the voltage developed El dispositivo funciona mediante la detección de la tensión desarrollada
across an external (user defined) high side current a través de un externo (definido por el usuario) de alta corriente lateral
sense resistor, and by an arrangement of current Resistencia de sentido, y por un arreglo de las actuales
mirrors refer this sensed voltage, with or without espejos remitir este percibió tensión, con o sin
multiplication, to a low side referenced signal. multiplicación, a un lado de baja referencia de la señal. This Esta
signal can then be used, for example, to close the señal puede ser utilizada, por ejemplo, para cerrar la
control loop to a controller IC, for a DC-DC converter control de lazo a un controlador IC, por un convertidor DC-DC
providing charge to a battery. proporcionar carga a una batería.
TYPICAL APPLICATION CIRCUIT CIRCUITO DE APLICACIÓN TÍPICAS
V V
IR IR
R R
R R
sense sentido
2 2
4 4
1 1
= =
For balance R3=R4 Para R3 R4 = saldo
eg por ejemplo,
R2=100m Ω R2 = 100 Ω
R1=R3=R4=100 Ω R1 = R3 = R4 = 100 Ω
V V
sense sentido
sensitivity = 100mV/A una sensibilidad de 100 mV / A
SM-8 SM-8
(8 LEAD SOT223) (8 PLOMO SOT223)
SCHEMATIC DIAGRAM Diagrama esquemático
CONNECTION DIAGRAM ESQUEMA DE CONEXIONES
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ISSUE 2 - JANUARY 2000 TEMA 2 - enero 2000
ZDS1009 ZDS1009
Parameter Parámetro
Symbol Símbolo
Min Min
Max Número máximo de personas
Unit Unidad
Conditions Condiciones
Breakdown Voltage Voltaje de Ruptura
BV BV
Y1-X1 Y1-X1
120 120
V V
I Yo
Y1 Y1
=100 µ A Μ = 100 A
Breakdown Voltage Voltaje de Ruptura
BV BV
X1-E1 X1-E1
-30 -30
V V
I Yo
X1 X1
=-10mA =- 10mA
Breakdown Voltage Voltaje de Ruptura
BV BV
Y1-E3 Y1-E3
30 30
V V
I Yo
Y1 Y1
=10mA = 10 mA
Breakdown Voltage Voltaje de Ruptura
BV BV
E1-Y1 E1-Y1
-12 -12
V V
I Yo
E1 E1
=-100 µ A =- 100 μ A
Breakdown Voltage Voltaje de Ruptura
BV BV
E2-Y1 E2-Y1
-6 -6
V V
I Yo
E2 E2
=-100 µ A =- 100 μ A
Breakdown Voltage Voltaje de Ruptura
BV BV
E3-X1 E3-X1
12 12
V V
I Yo
E3 E3
=100 µ A Μ = 100 A
Breakdown Voltage Voltaje de Ruptura
BV BV
E4-X1 E4-X1
6 6
V V
I Yo
E4 E4
=100uA = 100uA
Leakage Fuga
I Yo
Y1 Y1
50 50
nA nA
V V
Y1-X1 Y1-X1
=100V = 100V
Leakage Fuga
I Yo
X1 X1
-10 -10
µ A μ A
V V
X1-E1 X1-E1
=-30V, V =- 30V, V
y1 y1
=V V =
E1 E1
Leakage Fuga
I Yo
Y1 Y1
10 10
µ A μ A
V V
Y1-E3 Y1-E3
=30V,V = 30V, V
X1 X1
=V V =
E3 E3
Leakage Fuga
I Yo
E1 E1
-100 -100
nA nA
V V
E1-Y1 E1-Y1
=-8V =- 8V
Leakage Fuga
I Yo
E2 E2
-100 -100
nA nA
V V
E2-Y1 E2-Y1
=-4V =- 4V
Leakage Fuga
I Yo
E3 E3
100 100
nA nA
V V
E3-X1 E3-X1
=8V = 8V
Leakage Fuga
I Yo
E4 E4
100 100
nA nA
V V
E4-X1 E4-X1
=4V = 4V
Input Voltage Entrada de voltaje
V V
Y1-E2 Y1-E2
-1.45 -1,45
-1.65 -1,65
V V
I Yo
Y1 Y1
=-1A =- 1A
Input Voltage Entrada de voltaje
V V
Y1-E3 Y1-E3
1.45 1,45
1.75 1,75
V V
I Yo
Y1 Y1
=1A,V = 1A, V
X1 X1
=V V =
Y1 Y1
Input Voltage Entrada de voltaje
V V
X1-E1 X1-E1
-1.45 -1,45
-1.75 -1,75
V V
I Yo
X1 X1
=-1A,V =- 1 A, V
X1 X1
=V V =
Y1 Y1
Input Voltage Entrada de voltaje
V V
X1-E4 X1-E4
1.45 1,45
1.65 1,65
V V
I Yo
X1 X1
=1A = 1A
Transfer Transferencia
Characteristic Característica
V V
OUT OUT
0.99 0,99
1.01 1,01
V V
See Fig 1.V Véase la figura 1.v
CC CC
=5V = 5V
R1=R3=R4=100 Ω , V R1 = R3 = R4 = 100 Ω, V
IN EN
=1V = 1V
Transfer Transferencia
Characteristic Característica
V V
OUT OUT
1 1
mV mV
See Fig 1.V Véase la figura 1.v
CC CC
=5V = 5V
R1=R3=R4=100 Ω , V R1 = R3 = R4 = 100 Ω, V
IN EN
=5mV = 5mV
Output Zero-Offset Salida Cero Offset
Voltage Voltaje
V V
OFFSET OFFSET
4 4
mV mV
See Fig 2.V Véase la figura 2.v
CC CC
=5V,R = 5 V, R
2 2
<1 Ω <1 Ω
R1=R3=R4=100 Ω R1 = R3 = R4 = 100 Ω
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. ABSOLUTA máximas indicadas.
PARAMETER PARÁMETRO
SYMBOL SÍMBOLO
VALUE VALOR
UNIT UNIDAD
Maximum Operating Voltage Tensión máxima de servicio
V V
y1-x1 y1-x1
120 120
V V
Maximum Voltage (E1-E2,E3-E4) Tensión máxima (E1-E2, E3-E4)
V V
EE' EE '
10 10
V V
Peak Pulse Current Corriente de pico impulsos
I Yo
M M
4 4
A Un
Continuous Current (E1-E4,E2-E3) Corriente Continua (E1-E4, E2-E3)
I Yo
C C
1 1
A Un
Total Power Dissipation at T Disipación de energía total en T
amb amb
= 25°C* = 25 ° C *
P P
tot tot
2 2
W W
Operating and Storage Temperature Range Y rango de temperatura de almacenamiento
T T
j j
:T : T
stg libras
-55 to +150 -55 A 150
°C ° C
* The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a PCB with copper * El poder que se puede disipar suponiendo que el dispositivo está montado de una manera típica en una PCB con el cobre
equal to 2 inches square. igual a 2 pulgadas cuadradas.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T Características eléctricas (en T
amb amb
=25°C) = 25 ° C)
2 2
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ISSUE 2 - JANUARY 2000 TEMA 2 - enero 2000
ZDS1009 ZDS1009
Figure 1 Figura 1
Transfer Characteristic Test Circuit Prueba de transferencia del circuito Características
Figure 2 Figura 2
Output Zero-Offset Voltage Test Circuit Salida-Offset Voltaje Cero Circuito de prueba
3 3
Vo Vo
l l
t t
a una
g g
e e
T T
r r
a una
n n
s s
f f
e e
r r
10m 10m
Vin - Input Voltage (V) Vin - La tensión de entrada (V)
Frequency (Hz) Frecuencia (Hz)
Phase Change v Frequency Response Cambio de fase v Respuesta de frecuencia
Pha Pha
s s
e e
C C
h h
a una
nge ESN
( (
Degr Degr
ees) EEE)
360 360
240 240
220 220
Voltage Transfer v Frequency Response Transferencia de voltaje v Respuesta de frecuencia
Frequency (Hz) Frecuencia (Hz)
100 100
Vo Vo
l l
t t
a una
g g
e e
T T
r r
a una
n n
s s
f f
e e
r r
0.50 0,50
V V
cc cc
- Supply Voltage(V) - La tensión de suministro (V)
Voltage Transfer v Supply Voltage Transferencia de voltaje V Voltaje de alimentación
Vo Vo
l l
t t
a una
g g
e e
T T
r r
a una
n n
s s
f f
e e
r r
0.95 0,95
+25°C +25 ° C
R = 10 R = 10
1k 1k
R = 100 R = 100
R = 1 k R = 1 k
0.7 0,7
200 200
180 180
5 5
10 10
15 15
20 20
25 25
30 30
35 35
0 0
1.00 1,00
1.05 1,05
1.10 1,10
1.15 1,15
1.20 1,20
100m 100m
1 1
10 10
0.8 0,8
0.9 0,9
1.0 1,0
1.1 1,1
1.2 1,2
1.3 1,3
R = 10 R = 10
R = 100 R = 100
R = 1 k R = 1 k
0.60 0,60
0.70 0,70
0.80 0,80
0.90 0,90
1.00 1,00
R = 10k R = 10k
R = 1k R = 1k
1k 1k
10k 10k
100k 100k
1M 1M
260 260
280 280
300 300
320 320
340 340
10k 10k
100k 100k
1M 1M
Vin = 0.1V Vin = 0,1 V
Voltage Transfer v Input Voltage Transferencia de tensión de voltaje de entrada v
R = 100 R = 100
R = 10k R = 10k
R = 1k R = 1k
R = 100 R = 100
Vcc=5V Vcc = 5V
+25°C +25 ° C
Vin = 1V Vin = 1V
Vcc = 5V Vcc = 5V
VAC = 0.1V VAC = 0,1 V
T = 25°C T = 25 ° C
Vin = 1V Vin = 1V
Vcc = 5V Vcc = 5V
VAC = 0.1V VAC = 0,1 V
T = 25°C T = 25 ° C
TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERÍSTICAS TÍPICAS
TEST CIRCUITS PRUEBA DE CIRCUITOS
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ISSUE 2 - JANUARY 2000 TEMA 2 - enero 2000
ZDS1009 ZDS1009
4 4
Vo Vo
l l
t t
a una
g g
e e
- -
( (
V V
) )
100µ 100μ
0 0
0.2 0,2
0.4 0,4
Temperature (°C) Temperatura (° C)
-55 -55
Vo Vo
l l
t t
a una
g g
e e
( (
V V
) )
1m 1m
V V
ce ce
(V) - Collector-Emitter Voltage (V) (V) --tensión de colector emisor (V)
Curr Curr
ent ent
T T
ransfer ransferencia
0.95 0,95
I Yo
in en
- Input Current (A) - Corriente de entrada (A)
Vo Vo
l l
t t
a una
g g
e e
- -
( (
V V
) )
100µA 100μA
0.4 0,4
+25°C +25 ° C
Vin Vin
1mA 1mA
100µA 100μA
Vcutoff Vcutoff
0.1 0,1
-60 -60
Vcutoff Vcutoff
0.4 0,4
0.6 0,6
0.8 0,8
1mA 1mA
10mA 10mA
100mA 100mA
1A 1A
0.6 0,6
0.8 0,8
1.0 1,0
1.2 1,2
1.4 1,4
1m 1m
10m 10m
100mA 100mA
1A 1A
0.6 0,6
0.8 0,8
1.0 1,0
1.2 1,2
1.4 1,4
Vin Vin
Vcutoff Vcutoff
1 1
10 10
100 100
0.96 0,96
0.97 0,97
0.98 0,98
0.99 0,99
1.00 1,00
1.01 1,01
1.02 1,02
1.03 1,03
1.04 1,04
1.05 1,05
1 1
10 10
1.05 1,05
1.04 1,04
1.03 1,03
1.02 1,02
1.01 1,01
1.00 1,00
0.99 0,99
0.98 0,98
0.97 0,97
0.96 0,96
0.95 0,95
V V
ce ce
- Collector-Emitter Voltage(V) --Tensión de colector emisor (V)
Curr Curr
ent ent
T T
ransfer ransferencia
10mA 10mA
100µA 100μA
1mA 1mA
10mA 10mA
Vin Vin
-35 -35
-15 -15
5 5
25 25
45 45
65 65
85 85
105 125 105 125
Vcutoff Vcutoff
Vin Vin
-40 -20 -40 -20
0 0
20 20
40 40
60 60
80 100 120 80 100 120
1.0 1,0
1.2 1,2
1.4 1,4
1.6 1,6
I Yo
in en
- Input Current (A) - Corriente de entrada (A)
+25°C +25 ° C
1.6 1,6
1.4 1,4
1.2 1,2
1.0 1,0
0.8 0,8
0.6 0,6
0.4 0,4
0.2 0,2
0 0
Temperature (°C) Temperatura (° C)
Iin = 1mA Een = 1mA
Iout = 0.95mA Is = 0.95mA
Iin = 1mA Een = 1mA
Iout = 0.95mA Is = 0.95mA
Vo Vo
l l
t t
a una
g g
e e
( (
V V
) )
+25°C +25 ° C
25 C 25 C
Current Transfer v Vce Transferencia actual Vce v
Input/Cutoff Voltage v I Entrada / v de voltaje de corte I
in en
Input/Cutoff Voltage v I Entrada / v de voltaje de corte I
in en
Input/Output Voltage v Temperature Entrada / salida de voltaje v Temperatura
Input/Output Voltage v Temperature Entrada / salida de voltaje v Temperatura
Current Transfer v Vce Transferencia actual Vce v
Iout = 0.95Iin Is = 0.95Iin
Iout = 0.95Iin Is = 0.95Iin
NPN NPN
NPN NPN
NPN NPN
PNP PNP
PNP PNP
PNP PNP
TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERÍSTICAS TÍPICAS
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ISSUE 2 - JANUARY 2000 TEMA 2 - enero 2000
ZDS1009 ZDS1009
5 5
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Fields New Road, Chadderton, Oldham, OL9 8NP, United Kingdom. Nueva carretera Campos, Chadderton, Oldham, OL9 8NP, Reino Unido.
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Hing Fong Road, Hing Fong carretera,
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Nerio ramirez