conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET, como todos los transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por voltaje.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa
o canal. La región activa de los TFTs (thin-film transistores, o transistores de película fina), por otra parte, es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente
vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFTs es como pantallas de cristal líquido o LCDs).
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET
(Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de
campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la
corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además,
presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y diseño de circuitos.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de
una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados
extensísimamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.
P-channel
N-channel Símbolos esquemáticos para los JFETs canal-n y canal-p. G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source).
Tipo de transistores de efecto campo:
Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el canal y la puerta:
•El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).
•El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n
•El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) usa una barrera Schottky
•En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "vacíos" forma el aislante.
La característica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio policristalino.
Comparativa de las gráficas de funcionamiento (curva de entrada o característica I-V y curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo
CMOS (inglés: Complementary Metal Oxide Semiconductor(Semiconductor complementario del óxido de metal), «MOS Complementario»:
Es una tecnología utilizada para crear circuitos integrados, como pueden ser compuertas lógicas, contadores (entre éstos, muy populares los Decimales Johnson), etc.
Consiste básicamente en dos transistores, uno PFET y otro NFET. De esta configuración resulta el nombre.
Los chips CMOS consumen menos potencia que aquellos que usan otro tipo de transistor. Tienen especial atractivo para emplearlo en componentes que funcionen con baterías,
como los ordenadores portátiles. Los ordenadores de sobremesa también contienen dispositivos de memoria CMOS de bajo consumo de potencia para almacenar la fecha, hora
y configuraciones (BIOS).
Existen diversos tipos de pros y contras contra estos circuitos, siendo el problema del daño por electricidad estática el fantasma que más afecta el uso comercial de estos
integrados.
Diversos estudios afirman que dicho planteamiento no es más que un mito ya que deben darse muchos factores tanto ambientales, físicos aparte de lo eléctrico para dañarlos.
Dentro de las ventajas mayores que tienen los CMOS destacan las siguientes dos:
1.Funcionan con tensiones desde los 3 V hasta los 15 V, por ende no necesitan una fuente de voltaje dedicada para ellos.
2.Se ha demostrado que un CMOS determinado tiene muchas más aplicaciones (o dichas aplicaciones trabajan mejor en CMOS) que en un TTL
Además, su fabricación es relativamente fácil y barata, en comparación a otras tecnologías
Obtenido de "http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo"
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